激光光斑⼩于2μm，⼯作距离10.48mm，芯⽚切割道宽度为4μm~10μm，热影响区⼩于2μm。

芯⽚电性导通良率⼤于98%，单晶率⼤于99%(单晶间距外扩偏差值可⼩⾄10μm)。

切割垂直度⼩于2°，可切割最⼩尺⼨0204，切割厚度50~170μm 单⼯位双吸盘(同时上下料)。

切割效率⾼。

型号可选择：半⾃动/全⾃动。